用于直拉单晶炉热场的三相交流加热器
授权
摘要

本实用新型公开了一种用于直拉单晶炉热场的三相交流加热器,包括分别位于正三角形3个端点的三个加热器脚;三个加热器叶片组件围合形成一个圆筒,相邻的加热器叶片组件之间设有间隙Ⅰ;所述三个加热器脚位于圆筒的内表面的底部;在2个相邻的加热器叶片组件之间设置一个加热器脚。本实用新型还同时公开了该三相交流加热器的使用方法。本实用新型利用三相交流加热器形成内部磁场,不仅起到横向磁场和旋转磁场的作用,而且节省了外置磁场设备的造价及运维费用,大大降低了产品的生产成本。

基本信息
专利标题 :
用于直拉单晶炉热场的三相交流加热器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020288304.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-10
授权号 :
CN211897163U
授权日 :
2020-11-10
发明人 :
沈益军潘金平肖世豪周永前饶伟星高海军杨国梁陈洪苏文霞徐斌
申请人 :
浙江海纳半导体有限公司
申请人地址 :
浙江省衢州市开化县华埠镇万向路5号
代理机构 :
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 :
金祺
优先权 :
CN202020288304.3
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  C30B29/06  C30B30/04  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-11-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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