本发明提供一种直拉单晶热场及用于该热场的复投工艺，包括石英坩埚、石墨/碳碳坩埚、上固化保温筒、中固化保温筒和导流筒，还具有：置于石墨/碳碳坩埚上端面的支撑坩埚和置于上固化保温筒和中固化保温筒之间的支撑保温筒；支撑坩埚上端面低于石英坩埚上端面，且支撑坩埚上端面距离石墨/碳碳坩埚上端面的高度为定值；支撑保温筒分别与上固化保温筒和中固化保温筒连接，且支撑坩埚高度与支撑保温筒高度相同。本发明在不改变现有石墨/碳碳坩埚、加热器、所有固化保温筒结构的条件下，重新配置较于常规石英坩埚一定高度的新的石英坩埚，在新的热场中进行复投生产，不仅可降低金属杂质进入直拉单晶中，而且可提高单晶质量，降低单棱断苞率。