一种新型直拉单晶用复投器
授权
摘要
本实用新型提供一种新型直拉单晶用复投器，包括复投筒、石英伞和固定架，所述固定架设于所述复投筒上端，所述石英伞设于所述复投筒下端；所述复投筒从靠近所述固定架一端开始依次包括第一筒部、第二筒部和第三筒部，所述第一筒部、所述第二筒部和所述第三筒部一体连接，且所述第一筒部内径大于所述第三筒部内径，所述第一筒部高度不小于所述第三筒部高度。本实用新型提出的复投器，不仅可增加每筒的复投量，而且还可降低单晶硅棒头部间隙氧含量，提高硅单晶质量，同时还延长了复投器的使用寿命，提高生产效率，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种新型直拉单晶用复投器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920750922.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-23
授权号 ：
CN210636091U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
张红霞李利军王林王建平高建芳陈培杰白建军
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201920750922.2
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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