一种直拉单晶用新型籽晶
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摘要

本实用新型提供一种直拉单晶用新型籽晶,包括依次同轴连接的一级晶段、二级晶段和三级晶段,其特征在于,还包括延长晶段,所述延长晶段置于所述三级晶段远离所述二级晶段一侧,所述延长晶段沿所述三级晶段轴线方向向外且与所述三级晶段一体连接设置,所述延长晶段为锥形结构,所述延长晶段的大径端面与所述三级晶段外径相同。本实用新型提供的一种直拉单晶用新型籽晶,尤其是适用于至少一次熔接的单晶拉制,解决了现有技术中的籽晶容易导致扩肩或等径前期断苞的技术问题,有利于在熔接时减少对单晶生长的热冲击力,减少单晶生长时位错的产生,提高单晶一次成晶率,降低生产成本,提高单晶产能。

基本信息
专利标题 :
一种直拉单晶用新型籽晶
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921976748.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-15
授权号 :
CN211367812U
授权日 :
2020-08-28
发明人 :
郭谦张文霞武志军霍志强钟旭宋瑞强景吉祥李晓东康学兵高润飞徐强谷守伟
申请人 :
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN201921976748.X
主分类号 :
C30B15/36
IPC分类号 :
C30B15/36  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/36
以籽晶,例如其结晶取向为特征的
法律状态
2020-08-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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