连续直拉单晶的单晶炉
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摘要
本实用新型公开了一种能够实现单晶硅的连续直拉，能够提高拉晶质量，保证连续加料，并且能够保证单晶硅棒的品质的连续直拉单晶的单晶炉。该连续直拉单晶的单晶炉包括炉体；所述炉体的内腔内安装有双层坩埚；所述炉体上端设置有拉伸装置；所述炉体上端设置有硅料加料装置；所述双层坩埚下端设置有石墨加热托盘；所述石墨加热托盘下方设置有托盘；所述托盘下端设置有拖杆；所述炉体的内壁上设置有保温层；所述炉体内腔的底部设置有反射层；所述双层坩埚与保温层之间设置有加热电阻；所述双层坩埚上方设置有导流筒；所述炉体下端设置有加热电极。采用该连续直拉单晶的单晶炉能够保证单晶硅棒的连续直拉以及提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
连续直拉单晶的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022051324.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN213652723U
授权日 ：
2021-07-09
发明人 ：
陈五奎陈昊陈嘉豪陈辉
申请人 ：
乐山新天源太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
四川省乐山市乐山高新区建业大道888号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李玉兴
优先权 ：
CN202022051324.1
主分类号 ：
C30B15/12
IPC分类号 ：
C30B15/12 C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
C30B15/12
双坩埚法
法律状态
2021-07-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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