一种直拉法单晶炉
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摘要
本实用新型涉及一种直拉法单晶炉及其熔体温度梯度控制方法，属于单晶硅生产技术领域。直拉法单晶炉包括炉体，炉体内设置有坩埚和加热器，坩埚包括用于盛装熔体的石英坩埚和包裹在石英坩埚外的石墨坩埚，加热器设置在石墨坩埚的外侧，石墨坩埚的底部设有坩埚轴和测温装置，测温装置穿过所述坩埚轴中心并插入石墨坩埚的底部，测温装置的底部引出有与数据处理器连接的信号数据线。通过在石墨坩埚的底部设置测温装置，用于测量石英坩埚底部的温度，实时获得在拉晶过程中石英坩埚底部的温度变化，从而调整加热器的功率。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉法单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022210974.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN214142606U
授权日 ：
2021-09-07
发明人 ：
刘博旸
申请人 ：
刘博旸
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区山水人家美林泉1-3-201#
代理机构 ：
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
颜果
优先权 ：
CN202022210974.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-09-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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