节能型直拉单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开一种节能型直拉单晶炉，包括矩形箱体，所述矩形箱体的外侧面上端设有锥形罩，锥形罩的外侧面上端中部设有柱形导流罩，柱形导流罩的外侧面上端设有外壳体，外壳体的内侧面中部设有定位板，定位板的上表面设有旋转电机，定位板的上表面中部转动连接有中空转轴，中空转轴的上端面设有电动提升装置，电动提升装置上连接有吊绳，且吊绳穿过中空转轴设置，吊绳的下端面设有拉晶杆，本节能型直拉单晶炉，结构紧凑，操作方便，使用时占用空间小，可以连续高效的进行单晶硅生产，真空上料泵的设置方便了原料的连续加注，通过电加热丝可以对原料进行预加热处理，取料口盖板的设置方便了原料的取出。
基本信息
专利标题 ：
节能型直拉单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920627314.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-05
授权号 ：
CN210085616U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
魏海宁林希宪孙江南
申请人 ：
徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
华德明
优先权 ：
CN201920627314.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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