一种直拉单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种直拉单晶炉,包括副炉室、位于副炉室内且用于提拉晶棒的提拉装置,还包括:设置在提拉装置上、用于在提拉装置提拉晶棒时测量提拉装置的拉力的拉力传感器;与拉力传感器相连、用于当提拉装置的拉力小于预设值时控制夹持装置启动的控制装置;可移动地贴合在副炉室内炉壁上、与控制装置相连、用于在控制装置的控制下移向晶棒并夹持住晶棒的夹持装置。本申请公开的上述技术方案,当控制装置判断出提拉装置的拉力小于预设值时,则确定发生晶棒掉落,此时,控制装置则控制夹持装置启动,启动后的夹持装置从副炉室的内炉壁上移向晶棒并夹持住晶棒,以避免晶棒继续往下掉,从而避免晶棒对直拉单晶炉造成破坏,并避免引发安全事故。
基本信息
专利标题 :
一种直拉单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920411715.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-03-28
授权号 :
CN209669394U
授权日 :
2019-11-22
发明人 :
姜志兴张涛陈骏黄晶晶叶鹏贺小峰陈养俊金浩
申请人 :
晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请人地址 :
江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
罗满
优先权 :
CN201920411715.4
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2019-11-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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