一种直拉单晶炉
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摘要

本实用新型公开了一种直拉单晶炉,属于单晶硅生产领域,直拉单晶炉包括坩埚和加热器,加热器的外围设有保温层,坩埚包括用于承装熔体的石英坩埚和套设在石英坩埚外的外围支撑坩埚;加热器包括包围在坩埚周围的主加热器和设置在坩埚的底部的辅加热器;保温层外在垂直方向上间隔设有若干热电偶测温探头,或在保温层上开有供红外测温仪测温的第一窗口。通过间接地检测和控制石英坩埚内熔体的温度分布达到对拉晶过程的科学精准的控制,拉晶过程中控制坩埚底熔体温度尽可能低,以获得更低氧含量单晶,控制坩埚中熔体的最高温度尽可能低,以获得更低缺陷密度的单晶,不仅使拉速更快,拉晶成本更低,而且单晶的品质也得到大幅提升。

基本信息
专利标题 :
一种直拉单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921220102.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-30
授权号 :
CN210596315U
授权日 :
2020-05-22
发明人 :
刘冬雯
申请人 :
刘冬雯
申请人地址 :
江苏省南通市如皋市如城街道凌青村二十一组16号
代理机构 :
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 :
胡红娟
优先权 :
CN201921220102.9
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/06  G01J5/00  G01K7/02  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2020-05-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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