直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉，属于水冷屏装置的技术领域，包括水冷屏，所述水冷屏的下端设置圆环形护套，所述圆环形护套与所述水冷屏的下端连接，水冷屏上部分为不锈钢结构，而单晶炉内的加热器的加热温度为1450℃，炉腔内的环境温度在1000℃以上，不锈钢的耐高温温度为1000℃，在单晶炉内炉内温度过高容易造成不锈钢水冷屏高温熔断或爆裂，因此采用圆环形护套将水冷屏和圆环形护套固定在石英坩埚上方，避免水冷热屏高温熔断或爆裂，同时通过圆环形护套能够延伸水冷屏的长度，延伸水冷热屏的热折射，有效保证单晶炉内良好的温度梯度。
基本信息
专利标题 ：
直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381795A
申请号 ：
CN202111642121.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁亚国李玲玲梁万亮马国忠顾燕滨
申请人 ：
宁夏申和新材料科技有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市开发区光明西路25号
代理机构 ：
宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙彦虎
优先权 ：
CN202111642121.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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