补充掺杂装置及直拉单晶炉
授权
摘要

本申请涉及单晶硅生生产技术领域,公开了一种补充掺杂装置及直拉单晶炉,补充掺杂装置用于直拉单晶炉,包括储料部,连接杆和外转接部,其中,所述外转接部的一端用于与所述直拉单晶炉连接,所述外转接部的另一端与所述连接杆一端可拆卸连接,所述连接杆另一端与所述储料部一端连接,所述储料部另一端设有出料口。该装置能够在拉制单晶的过程中放入单晶炉内,储料部内放置补充掺杂剂,通过连接杆的延伸可将补充掺杂剂在硅熔液中的掺杂范围扩大,通过转动,可进一步提高掺杂剂进入硅熔液的速度和均匀性,从而保证所拉制的单晶硅棒各个部分掺杂剂的均匀性,提高了制备的当前单晶硅棒的电阻率均匀性,进而提高了当前单晶硅棒的品质。

基本信息
专利标题 :
补充掺杂装置及直拉单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022392105.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-23
授权号 :
CN214088736U
授权日 :
2021-08-31
发明人 :
罗向玉徐鹏国马学贵王弘威
申请人 :
银川隆基光伏科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区银川经济开发区开元东路15号1号办公楼
代理机构 :
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
郭栋梁
优先权 :
CN202022392105.X
主分类号 :
C30B15/04
IPC分类号 :
C30B15/04  C30B15/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料,例如用于n-p结的
法律状态
2021-08-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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