一种直拉单晶硅生产用的引晶装置
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摘要

本实用新型公开了一种直拉单晶硅生产用的引晶装置,包括引晶箱,还包括立柱、支撑杆和顶杆,所述引晶箱两侧居中处均固定连接有竖直放置的立柱,所述立柱相对平行设有两根,所述立柱远离引晶箱的一侧开设有用于安装螺纹杆的滑槽,所述滑槽内设有套置在螺纹杆上的滑块,所述滑块一侧固定连接有支撑杆,所述滑块、支撑杆均相对平行设有两根,两根所述支撑杆顶端共同连接有顶杆,所述顶杆上固定安装有限位组件,所述引晶箱顶端居中处固定安装有下料漏斗,所述限位组件位于下料漏斗的正上方,所述限位组件包括顶板、安装板、侧板、限位板和丝杆,所述顶板上端面固定连接有两块相对平行设置的安装板。能够提高该装置的适用性,易于推广。

基本信息
专利标题 :
一种直拉单晶硅生产用的引晶装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122268953.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-09-18
授权号 :
CN216404590U
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
安晓慧
申请人 :
安晓慧
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市经济技术开发区金川工业园区
代理机构 :
合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
朱文军
优先权 :
CN202122268953.4
主分类号 :
C30B15/30
IPC分类号 :
C30B15/30  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2022-04-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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