一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器
授权
摘要
本实用新型提供一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器，包括发热体、若干个加热器腿部，所述发热体为多段式曲线结构；所述若干个加热器腿部用于支撑所述发热体。本实用新型涉及的降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器采用高度一致的发热体，可减少整体主加热器的发热高度，提高主加热器的有效发热面积比，降低氧含量；并使石英坩埚下部与熔硅反应降低，减少氧的产生，从而降低氧含量；发热体的圆弧结构使得该主加热器上表面氧化物易聚集程度减少，改善了炉内环境，从而提高单晶成晶率；且结构简单，维修方便，加工成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922269906.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211689295U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
霍志强武志军郭谦郭志荣王胜利康学兵赵志远韩凯张文霞高润飞
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201922269906.4
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B15/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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