提高晶棒氧含量的方法及单晶炉
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种提高晶棒氧含量的方法及单晶炉，属于提高晶棒氧含量工艺的技术领域，包括化料步骤、预处理步骤、试温步骤，所述预处理步骤位于所述化料步骤与所述试温步骤之间，所述预处理步骤中，石英坩埚转速为1rpm/min‑10rpm/min，所述石英坩埚的转速在1rpm/min‑10rpm/min之间进行高、低速循环间隔切换，从而石英坩埚与石英坩埚内的硅溶液发生相互转动，以使石英坩埚内的凸起与硅溶液发生反应，使得石英坩埚内的氧含量提高。
基本信息
专利标题 ：
提高晶棒氧含量的方法及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277441A
申请号 ：
CN202111642169.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马成王忠保
申请人 ：
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号
代理机构 ：
宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨畅
优先权 ：
CN202111642169.3
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/10 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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