可降低晶棒碳铁含量的单晶炉
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摘要

一种可降低晶棒碳铁含量的单晶炉,包括热屏,所述热屏包括内筒、外筒、筒底,所述内筒套装于外筒内,所述筒底为环形,所述筒底设于内筒、外筒的下端,所述内筒包括第一筒体、第二筒体、第三筒体、第四筒体,所述第一筒体、第二筒体、第三筒体、第四筒体均为上下开口,所述第一筒体、第三筒体均为锥形,所述第二筒体、第四筒体均为柱形,在内筒、外筒、筒底包围的空腔中填充有保温毡,本实用新型的有益效果在于,将靠近晶棒距离最近的内筒分段设计成第一筒体、第二筒体、第三筒体、第四筒体的串联体,第二筒体和第四筒体为柱形的设计,能减少内筒与晶棒之间的距离,能减少内筒杂质元素会挥发到晶棒表面。

基本信息
专利标题 :
可降低晶棒碳铁含量的单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020952077.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-29
授权号 :
CN212426240U
授权日 :
2021-01-29
发明人 :
芮阳
申请人 :
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
张淼
优先权 :
CN202020952077.X
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-01-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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