一种降低直拉单晶氧、碳含量的排气装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型提供一种降低直拉单晶氧、碳含量的排气装置，包括：排气孔和排气管，所述排气孔设置在单晶炉上，与所述单晶炉成一定角度，用于连接所述排气管；所述排气管通过所述排气孔连通所述单晶炉内部，与所述单晶炉成一定角度设置，用于排出所述单晶炉内的气体。本实用新型的有益效果是有效的解决直拉单晶炉内气体流动时上炉盖拱形位置容易形成局部涡流，负压较低，导致排气效率降低，可能引起杂质聚集，导致碳高或氧高的问题。

基本信息

专利标题：

一种降低直拉单晶氧、碳含量的排气装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022410624.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-27

授权号：

CN213866490U

授权日：

2021-08-03

发明人：

孔凯斌郝朝旭侯明超王淼张强郝小龙

申请人：

内蒙古中环领先半导体材料有限公司

申请人地址：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号

代理机构：

天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

栾志超

优先权：

CN202022410624.4

主分类号：

C30B15/00

IPC分类号：

C30B15/00 C30B29/06

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B15/00

熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法

法律状态

2022-04-22 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : C30B 15/00
登记生效日 : 20220412
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 内蒙古中环领先半导体材料有限公司
变更后权利人 : 内蒙古中环领先半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
变更后权利人 : 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中环领先半导体材料有限公司

2021-08-03 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN213866490U.PDF

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