有利于增加直拉单晶硅棒氧含量的加热器
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种有利于增加直拉单晶硅棒氧含量的加热器,属于单晶硅生产设备技术领域。包括加热器本体,所述加热器本体由若干加热片首尾依次连接而成,所述加热片上端的横截面积大于下端的横截面积。本实用新型技术方案通过改变传统加热器结构,减小所述加热片底端的横截面积,在同等电流状态下,所述加热片底端由于横截面积小,故而在所述加热器本体的底端提供较高的加热功率,从而使得石英坩埚的底部弧角处受热增强,对于相同体积的硅业,在石英坩埚的底部弧角处释放出的氧增多,实现在不改变液位线温度、不改变拉制氛围的状态下增加单晶硅硅棒的氧含量。直拉单晶拉晶后,整体硅棒氧含量增加1个ppm以上。
基本信息
专利标题 :
有利于增加直拉单晶硅棒氧含量的加热器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920964536.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-25
授权号 :
CN210104123U
授权日 :
2020-02-21
发明人 :
丁亚国梁万亮马国忠顾燕滨河野贵之
申请人 :
宁夏银和新能源科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
郑重
优先权 :
CN201920964536.3
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-04-05 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁夏银和新能源科技有限公司
变更后 : 宁夏银和半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
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变更后 : 宁夏银和半导体科技有限公司
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变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
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2022-04-05 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁夏银和半导体科技有限公司
变更后 : 宁夏申和新材料科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
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变更后 : 宁夏申和新材料科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
2020-02-21 :
授权
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