一种直拉单晶硅可视热处理装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种直拉单晶硅可视热处理装置,包括:炉体、安装架、安装孔、热成像仪、热成像显示屏、电控柜、功能按键、转轴、嵌孔、托架;所述炉体的侧部设有安装架,且安装架的底部通螺栓固定在炉体的底部;所述安装架上开设有安装孔,且安装孔的内部镶嵌有热成像仪;所述热成像仪与热成像显示屏通过电缆通信连接;所述热成像显示屏镶嵌在电控柜的前端;所述电控柜设在炉体左侧的底部;所述电控柜的前端镶嵌有功能按键;本实用新型通过对一种直拉单晶硅热处理装置的改进,具有结构合理,可视化,方便控温,多点采集,可视质量较高,方便观看的优点,从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。
基本信息
专利标题 :
一种直拉单晶硅可视热处理装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122213624.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-09-14
授权号 :
CN216404588U
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
马晓霞
申请人 :
马晓霞
申请人地址 :
甘肃省兰州市安宁区安宁西路88号
代理机构 :
合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
朱文军
优先权 :
CN202122213624.X
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-04-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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