一种用于直拉法中检测大直径单晶硅是否晃动的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于直拉法中检测大直径单晶硅是否晃动的装置。该装置包括在单晶炉内部设置在籽晶夹头上方软轴上的两个红外线发射器和两个红外线接收器;两个红外线发射器和两个红外线接收器分别设置在单晶炉中心轴上的同一位置;两个红外线发射器发射红外线的方向相反并分别垂直于单晶炉内壁;每个红外线接收器分别接收其中一个红外线发射器发出并被炉体内壁反射回的红外线;两个红外线接收器分别通过软轴与单晶炉外的显示器连接;通过比较两个红外线接收器的红外线信号数据,来判断单晶硅是否晃动。利用本实用新型的装置,能够实时的观测晶体是否在炉内最中心的位置,进而能够实时采取措施来保证稳定安全的生产环境,预防单晶脱落的可能。
基本信息
专利标题 :
一种用于直拉法中检测大直径单晶硅是否晃动的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922261031.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-13
授权号 :
CN211284618U
授权日 :
2020-08-18
发明人 :
李永博王利超王永涛崔彬方峰
申请人 :
山东有研半导体材料有限公司
申请人地址 :
山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号(中元科技创新创业园)A座921室
代理机构 :
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 :
刘秀青
优先权 :
CN201922261031.3
主分类号 :
C30B15/26
IPC分类号 :
C30B15/26 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
2020-08-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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