大直径高效N型单晶硅的单晶炉
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摘要

本实用新型公开了一种能够降低通入氩气对炉体内热场造成影响,能够保证氩气气流稳定的大直径高效N型单晶硅的单晶炉。该大直径高效N型单晶硅的单晶炉,包括炉体、上炉腔;所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托、底部旋转支撑杆;所述坩埚外侧设置有加热装置以及保温罩;所述保温罩上方设置有环形布气筒;环形布气筒与保温罩顶部以及炉体内壁之间形成惰性气体进入腔;惰性气体进入腔内设置有气体加热装置;坩埚上方设置有导流筒;所述保温罩底部设置有通气孔;炉体上端设置有连通惰性气体进入腔的进气口;所述布气筒上设置有布气孔,所述炉体底部设置有出气口。采用该大直径高效N型单晶硅的单晶炉能够便于控制含氧量,同时能够保证单晶硅的品质。

基本信息
专利标题 :
大直径高效N型单晶硅的单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921105646.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-15
授权号 :
CN210215612U
授权日 :
2020-03-31
发明人 :
陈嘉豪徐文州樊茂德喻先丽
申请人 :
乐山新天源太阳能科技有限公司
申请人地址 :
四川省乐山市乐山高新区建业大道888号
代理机构 :
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李玉兴
优先权 :
CN201921105646.0
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-03-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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