单晶硅直径控制法及其设备
专利申请的视为撤回
摘要
单晶硅直径的一种控制方法，在单晶硅边相对于坩埚转动边受提拉的单晶硅制造过程中，将光学装置测出的提拉单晶的直径测定值与要求直径值进行比较，以确定偏差，再对得出的偏差进行不完全微分PID处理或史密斯法处理，以计算提拉速度，再将提拉速度加到晶体提拉设备的电动机控制器上，从而通过控制提拉速度控制提拉单晶的参数。为完成上述单晶硅直径的一种控制方法的设备，包括输入装置、不完全微分PID计算装置和输出装置。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅直径控制法及其设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056138A
申请号 ：
CN91102922.2
公开（公告）日 ：
1991-11-13
申请日 ：
1991-04-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
川岛章洁佐藤晨夫大川登志男
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN91102922.2
主分类号 ：
C30B15/26
IPC分类号 ：
C30B15/26
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的；使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
1994-01-05 ：
专利申请的视为撤回
1991-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1056138A.PDF
PDF下载
