一种单晶硅生长控制工艺
授权
摘要
本申请涉及一种单晶硅生长控制工艺，其包括S1：单晶炉的炉筒外侧架设磁场装置，向炉筒内部施加磁场；S2：装料；S21：在炉筒内设有同轴对准装置，在炉筒安装石墨坩埚，通过同轴对准装置在石墨坩埚内安装石英坩埚；S22：多晶放入石英坩埚内，棱角靠近石英坩埚；S3：通过同轴对准装置安装并调整籽晶，籽晶与石英坩埚同轴线；S4：抽空和捡漏，抽出炉筒内部的气体，完成抽气后，检测炉筒漏气速率；S5：熔料；S6：引晶、放肩和收尾；S7：停炉；S8：取单晶。本申请具有快速准确地调整石墨坩埚、石英坩埚和籽晶的同轴度，提高单晶硅的生产效率和质量的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅生长控制工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113136619A
申请号 ：
CN202110419971.X
公开（公告）日 ：
2021-07-20
申请日 ：
2021-04-19
授权号 ：
CN113136619B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
范桂林李朝红李茂欣沈伟华
申请人 ：
上海磐盟电子材料有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区长塔路399号2幢
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
温开瑞
优先权 ：
CN202110419971.X
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-08-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20210419
申请日 : 20210419
2021-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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