单晶硅生长炉的二次加料装置
授权
摘要
本实用新型公开单晶硅生长炉的二次加料装置，包括石英筒，所述石英筒的底部设有石英锥，所述石英锥与所述石英筒围构成硅料盛放区，所述石英筒中穿设有与其同轴设置的连杆，所述连杆的底端连接所述石英锥，所述连杆用于在外力的作用下推拉所述石英锥以储料和卸料，其中，所述石英筒包括上筒和下筒，所述上筒和所述下筒可拆卸连接。本实用新型提供的二次加料装置易于维护，且维护成本低。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅生长炉的二次加料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021272964.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN213388966U
授权日 ：
2021-06-08
发明人 ：
刘军波牛照伦王三朋
申请人 ：
宁晋晶兴电子材料有限公司
申请人地址 ：
河北省邢台市宁晋县高新技术开发区
代理机构 ：
北京市万慧达律师事务所
代理人 ：
张一帆
优先权 ：
CN202021272964.9
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2021-06-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
