一种晶体生长连续自动加料装置及晶体连续生长系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体生长连续自动加料装置，包括壳体、搅拌储料装置、电控引料装置、引料管、控制装置及耗材监测装置，其中，搅拌储料装置安装在壳体内，搅拌储料装置与电控引料装置相连通，引料管穿过壳体与晶体生长系统的连通口，将电控引料装置的出料口与晶体生长系统内的坩埚连通，电控引料装置工作时，使原料从电控引料装置的出料口送出并通过引料管进入坩埚；电控引料装置与控制装置电连接，控制装置还与耗材监测装置电连接。还公开了包括上述晶体生长连续自动加料装置的晶体连续生长系统。能够实现晶体生长过程中精准、持久、连续和均匀的加料。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长连续自动加料装置及晶体连续生长系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920824691.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-03
授权号 ：
CN210394590U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
李海林武欢王瑞宋晓佳何晔佘建军李金刘建军
申请人 ：
中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请人地址 ：
重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 ：
重庆博凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡逸然
优先权 ：
CN201920824691.5
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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