晶体生长装置
授权
摘要
提供能够提高加热效率、并且同时实现坩埚温度的均匀性和坩埚温度的准确的测定，从而实现晶体的高品质化的晶体生长装置。一种晶体生长装置(1)，具备：热源(11)；坩埚(14)，其由能够接纳原料(A1)的容器主体(12)和能够安装晶种(B1)的盖部(13)构成；第1绝热部(16)，其外装于坩埚(14)，且设有在厚度方向贯通的第1贯通孔(15)；第2绝热部(18)，其外装于第1绝热部(16)，且设有在厚度方向贯通的第2贯通孔(17)；移动机构(19)，其使第1绝热部(16)和第2绝热部(18)相对移动；以及，辐射型测温部(20)，其经由第1贯通孔(15)和第2贯通孔(17)来测定坩埚(14)的温度。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110878423A
申请号 ：
CN201910833016.3
公开（公告）日 ：
2020-03-13
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN110878423B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
野口骏介
申请人 ：
昭和电工株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
刘航
优先权 ：
CN201910833016.3
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36 C30B29/40 C30B29/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-04-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20190904
申请日 : 20190904
2020-03-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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