碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法
授权
摘要
本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法。碳化硅晶体生长装置包括坩埚和网状件；网状件设置在坩埚的坩埚体中，且网状件的周缘与坩埚体的内壁抵持；网状件呈朝向坩埚体底部的凹状；坩埚底部被配置为用于盛放原料粉料，网状件被配置为贴合覆盖原料粉料，原料粉料朝向坩埚体顶面的表面具有与网状件相适配的凹状。其能够通过料面凹凸程度的改变，能够有效利用热场，使得晶体内应力下降以及氮掺杂更加均匀，从两方面解决SF的出现以及尽可能的降低BPD的密度。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113622016A
申请号 ：
CN202110940779.5
公开（公告）日 ：
2021-11-09
申请日 ：
2021-08-17
授权号 ：
CN113622016B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王睿仑张洁廖弘基杨树
申请人 ：
福建北电新材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘曾
优先权 ：
CN202110940779.5
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-11-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 11/00
申请日 : 20210817
申请日 : 20210817
2021-11-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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