一种碳化硅晶体生长装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置,包括具有第一腔体的第一主体、至少两个分别具有与第一腔体连通的第二腔体的第二主体、用于为第二腔体加热的加热机构、用于为第一腔体抽真空的抽真空机构、设于第一腔体中的用于承载多个坩埚的载体、设于第一腔体中的用于驱动载体运动的第一驱动机构、用于驱动至少两个坩埚使其同步且一一对应的进出第二腔体的第二驱动机构;第一驱动机构用于驱动载体做间歇性运动,使多个坩埚中的至少两个一一对应的停留在至少两个第二腔体的正下方;第二驱动机构用于在载体停止运动时同步驱动至少两个第二腔体正下方的坩埚使其一一对应的进出第二腔体。本实用新型一种碳化硅晶体生长装置,工艺时间较短,长晶质量较好。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921849375.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-30
授权号 :
CN210765583U
授权日 :
2020-06-16
发明人 :
李留臣周正星周洁程绪高
申请人 :
江苏星特亮科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市杨舍镇东莱东黎路8号(星特亮)
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
刘鑫
优先权 :
CN201921849375.X
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B11/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-06-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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