一种碳化硅晶体生长坩埚装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长坩埚装置，包括坩埚、存放件、外加热件、底座、内加热件和调整组件，所述调整组件设于底座内，所述内加热件设于底座上，所述外加热件设于底座上，所述内加热件设于外加热件内，所述存放件设于调整组件上且设于内加热件和外加热件之间，所述坩埚设于存放件内，所述坩埚设于调整组件上，本实用新型属于晶体生长技术领域，具体是指一种便于同时碳化硅晶体生长坩埚装置。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶体生长坩埚装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122246827.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-16
授权号 ：
CN216404591U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
朱纳新
申请人 ：
西安华合德新材料科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市西咸新区泾河新城产业孵化中心2期西办公楼1层
代理机构 ：
深圳紫晴专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
付钦伟
优先权 ：
CN202122246827.9
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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