一种晶体生长坩埚
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摘要
一种晶体生长坩埚，包括外层坩埚，所述外层坩埚内同心设置有一个或多个内层坩埚，所述外层坩埚包括坩埚壁和坩埚底，所述内层坩埚为圆筒形或波浪圆筒形结构，所述内层坩埚的外侧均匀设有多个定位卡，内层坩埚焊接于坩埚底上端。该坩埚的优点是外层坩埚可以为薄壁坩埚，节约资金占用，且外层坩埚变形小，使用寿命长。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920673853.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-13
授权号 ：
CN210262079U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
夏钰坤夏宗仁
申请人 ：
江西匀晶光电技术有限公司
申请人地址 ：
江西省九江市经济技术开发区长城路121号恒盛科技园15-202
代理机构 ：
南昌新天下专利商标代理有限公司
代理人 ：
谢德珍
优先权 ：
CN201920673853.X
主分类号 ：
C30B29/30
IPC分类号 ：
C30B29/30 C30B15/12
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/30
铌酸盐；钒酸盐；钽酸盐
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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