一种晶体生长用双层坩埚

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摘要

本实用新型涉及晶体生长坩埚技术领域，且公开了一种晶体生长用双层坩埚，包括外层锅，所述外层锅的底部固定安装有底脚。该晶体生长用双层坩埚，通过将传统单层坩埚设计呈由外层锅和内层锅组成的双层坩埚，并在外层锅和内层锅之间预留了隔离腔，在隔离腔中填充了特定了保温液并由加热棒持续加热，加上顶部的盖板将整个坩埚空间密封起来，能够有效的长时间稳定的保持坩埚内部的温度，促进晶体生长，盖板底壁通过环形的卡块与连接块相互卡接，密封性稳定可靠，同时盖板中部安装了钢化玻璃材质的观察窗可以使得工作人员能够清洗明了的观察锅内晶体生长的具体程度，最后在外层锅的底部安装了底脚，使得坩埚本体不需额外的装置进行固定。

基本信息

专利标题：

一种晶体生长用双层坩埚

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021092527.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-12

授权号：

CN213327927U

授权日：

2021-06-01

发明人：

马争荣王建玲

申请人：

高密普特电子设备有限公司

申请人地址：

山东省潍坊市高密市高新技术产业开发区第二孵化器

代理机构：

济南诚智商标专利事务所有限公司

代理人：

殷盛江

优先权：

CN202021092527.9

主分类号：

C30B17/00

IPC分类号：

C30B17/00