一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚，涉及晶体生长技术领域；所述双层壁坩埚包括内坩埚，所述内坩埚为由圆筒部与漏斗部结合构成的一体成型结构，所述圆筒部位于所述内坩埚的上部，所述漏斗部位于所述内坩埚的下部；其特征在于，还包括套设于所述内坩埚的外壁的保温层。本实用新型的双层壁坩埚，在原有内坩埚局部增加了保温层结构，在升温的同时，能够让内坩埚内介质的温度均匀的增强，局部温度稳态升高，降低了出现孪晶和花晶的几率。同时，本实用新型的双层壁坩埚提高了热场内部的热流密度，增加了整个晶体生长温度场的纵向温度梯度，进一步提高了磷化铟单晶率。
基本信息
专利标题 ：
一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922095129.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN211005709U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
赵有文卢伟段满龙杨俊刘京明
申请人 ：
珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市高新区金鼎工业片区金园一路6号8栋厂房
代理机构 ：
广东朗乾律师事务所
代理人 ：
闫有幸
优先权 ：
CN201922095129.6
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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