一种晶体生长坩埚内部气压监测装置
授权
摘要

本实用新型提供一种晶体生长坩埚内部气压监测装置,包括底座、出料管和坩埚,所述底座的顶部外壁通过螺栓固定有支柱,所述支柱的顶部外壁与坩埚的顶部外壁通过螺栓固定连接,所述坩埚的顶部外壁开设有通孔,穿过通孔在坩埚的顶部外壁通过螺钉固定有测试管,所述测试管的一侧外壁通过螺栓固定有阀门,且测试管的一侧外壁套接有压力显示机构。本实用新型通过设置有螺纹杆、托板、滑块、弹簧、弧形挡板、触发器和显示灯,转动螺纹杆带动托板通过滑块在测试箱的内壁滑轨内向下或向下滑动,改变弧顶挡板与触发器之间的距离,可以执行不同压力需求时通过显示灯进行及时报警的目的,可以实现对不同晶体生长环境的监测效果,实用性提高。

基本信息
专利标题 :
一种晶体生长坩埚内部气压监测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022243673.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-10
授权号 :
CN213739775U
授权日 :
2021-07-20
发明人 :
唐华纯
申请人 :
上海御光新材料科技股份有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区城北路1355号C幢2楼
代理机构 :
上海浙晟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨秀伟
优先权 :
CN202022243673.3
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2021-07-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213739775U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332