一种晶体生长炉及坩埚盖板
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体生长炉及其使用的坩埚盖板，晶体生长炉用于泡生法生长晶体，包括：具有开口的坩埚、围绕坩埚设置的加热器、坩埚上方的保温层，具有中心孔的坩埚盖板盖在坩埚的开口上，坩埚盖板的中心孔从中心延孔径方向逐步变小，在生长晶体的过程中消除了原来圆形孔坩埚盖板形成的温度突变截面，显著地减少了圆形孔附近晶体的热应力，降低了大尺寸晶体开裂的概率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长炉及坩埚盖板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020126144.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-20
授权号 ：
CN212451742U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
陈建明杨胜裕刘乾坤齐凡刘艺霖
申请人 ：
福建晶安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020126144.2
主分类号 ：
C30B17/00
IPC分类号 ：
C30B17/00 C30B29/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B17/00
生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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