晶体生长装置和晶体生长方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种晶体生长装置和晶体生长方法。晶体生长装置包括坩埚盖和坩埚体；坩埚体包括相互配合的侧壁和底壁；沿坩埚体的高度，侧壁包括多个壁体和多个连接段，壁体和连接段依次错开连接；坩埚盖、底壁和壁体均由第一石墨材质制成，连接段由第二石墨材质制成；且第一石墨材质的密度大于第二石墨材质的密度。如此能够提高坩埚内部的N₂含量，以增加原料及生长器件中吸附更多的N₂，加大参与晶体生长反应的N₂含量，从而减小碳化硅晶片的电阻率。

基本信息

专利标题：

晶体生长装置和晶体生长方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113652751A

申请号：

CN202110952925.6

公开（公告）日：

2021-11-16

申请日：

2021-08-19

授权号：

CN113652751B

授权日：

2022-04-19

发明人：

彭程张洁廖弘基陈华荣

申请人：

福建北电新材料科技有限公司

申请人地址：

福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

刘曾

优先权：

CN202110952925.6

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B23/00