本发明公开了一种锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉，其可降低锑化铟晶体应力，该方法基于晶体生长炉实现，晶体生长炉包括炉体、设置于炉体内的坩埚、位于坩埚上方的热屏，坩埚内盛装有锑化铟多晶原料，热屏内部设置有电磁感应加热线圈，电磁感应加热线圈套装于锑化铟晶体的外周且与锑化铟晶体的局部间隔对应；使用晶体生长炉并基于切克劳斯基法进行锑化铟晶体生长，锑化铟晶体生长时依次穿过热屏的屏口、电磁感应加热线圈，通过电磁感应加热线圈对锑化铟晶体进行周期性加热。