一种锑化铟单晶的制备装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种锑化铟单晶的制备装置，涉及晶体的制备领域。本实用新型通过在密封装置的上方设置单独的加热区，确保装在第二坩埚中的物料能更准确地达到设定的温度，尤其是紧邻该加热区的物料；通过将加热器和第一坩埚各部分高度限定在特定的尺寸，以便于调控晶体生长温场温度梯度，从而提升晶体质量，提高晶体成品率；通过在籽晶袋的上下两端以及肩部的上半部分设置测温热电偶，能监控物料是否熔化以及物料熔化的位置；通过将加热器、第一坩埚和第二坩埚的内径和壁厚限定为特定的尺寸，能进一步确保物料快速、准确地达到预设的温度。
基本信息
专利标题 ：
一种锑化铟单晶的制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021093492.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-12
授权号 ：
CN213327936U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
黄幸慰朱刘狄聚青易明辉刘运连何志达尹士平熊威
申请人 ：
安徽光智科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省滁州市琅琊区琅琊经济开发区内永阳路以东、南京路以西、安庆路以北、六安路以南
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
颜希文
优先权 ：
CN202021093492.0
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B15/14 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
