直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是双坩埚法直拉ＧａＳｂ单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有Ｌ形或反Ｌ形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内外坩埚同步旋转，改进了双坩埚法生长单晶的热场分布。本发明的坩埚加工方便易行，生长方法简单、实用、效率高、成本低，能生长大直径、低位错、满足器件需要的单晶ＧａＳｂ衬底材料。
基本信息
专利标题 ：
直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1070009A
申请号 ：
CN91107486.4
公开（公告）日 ：
1993-03-17
申请日 ：
1991-09-03
授权号 ：
CN1060232C
授权日 ：
2001-01-03
发明人 ：
莫培根谈惠祖杜立新范向群吴巨
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁路865号
代理机构 ：
上海华东专利事务所
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN91107486.4
主分类号 ：
C30B15/12
IPC分类号 ：
C30B15/12 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
C30B15/12
双坩埚法
法律状态
2002-10-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
2001-01-03 ：
授权
1993-03-17 ：
公开
1992-12-16 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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