水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法

专利权的终止

摘要

水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法属砷化镓单晶生长技术领域，其特点是：生长单晶的炉体不平移；温度场高温区T1温度，按单晶成形点的温度逐段下降，下降速率与单晶生长速率相吻合；不仅保证了单晶生长质量，还省去了复杂的机械传动装置，降低了能耗，简化了工艺，降低了成本，是一个很有前途的发明。

基本信息

专利标题：

水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1844487A

申请号：

CN200610023803.4

公开（公告）日：

2006-10-11

申请日：

2006-02-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

尹庆民姚荣华

申请人：

尹庆民;姚荣华

申请人地址：

100088北京市北三环中路43号9楼1105室

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司

代理人：

周濂堂

优先权：

CN200610023803.4

主分类号：

C30B11/00

IPC分类号：

C30B11/00 C30B29/42

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B11/00

正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法

法律状态

2011-04-20 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101063892131
IPC(主分类) : C30B 11/00
专利号 : ZL2006100238034
申请日 : 20060209
授权公告日 : 20071226
终止日期 : 20100209

2007-12-26 ：

授权

2006-12-06 ：

实质审查的生效

2006-10-11 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载