一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，包括多段加热炉、载管和石英反应管，所述载管设置于所述多段加热炉内部，所述石英反应管设置于载管内部，且所述石英反应管两端外侧设置有用以支撑该石英反应管的引导组件，所述石英反应管内侧一端设置有石英舟。有益效果在于：本实用新型通过限位槽对导向块进行限位导向，以引导石英反应管置入载管内部反应区域，提高产品合成过程的稳定性，防止砷化镓晶体结构受到破坏，提高产品质量；将石英反应管通过引导组件撑起，从而在石英反应管与载管之间形成传热空腔，避免石英反应管与载管内侧底部直接接触，确保晶体成分更加均匀，提高结晶界面稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920730693.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-21
授权号 ：
CN210215617U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
代晓波
申请人 ：
独山中科晶元信息材料有限公司
申请人地址 ：
贵州省黔南布依族苗族自治州独山县麻万镇麻抹组独山中科晶元
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
谈杰
优先权 ：
CN201920730693.8
主分类号 ：
C30B29/42
IPC分类号 ：
C30B29/42 C30B25/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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