一种砷化镓晶体生长用石英坩埚
授权
摘要
本实用新型涉及砷化镓晶片加工技术领域,且公开了一种砷化镓晶体生长用石英坩埚,包括底座,所述底座内壁底部固定安装有数量为两个且呈左右对称分布的电动滑轨,两个所述电动滑轨顶部均活动连接有半圆板。该砷化镓晶体生长用石英坩埚,通过开启电动滑轨带动两个半圆板相向移动夹紧坩埚,通过开启电动推杆下降使顶板与坩埚顶部贴合,通过开启伺服电机正转,伺服电机的输出轴带动螺纹杆旋转,使得螺纹杆上的连接杆旋转并向下匀速运动,进而带动刮板旋转并向下匀速运动,通过弹簧的压缩使刮板更好的与坩埚的内壁表面贴合,对坩埚内壁结晶的晶片进行刮取,实现可以方便及时的刮取坩埚内壁结晶的晶体的目的,方便了使用者的使用。
基本信息
专利标题 :
一种砷化镓晶体生长用石英坩埚
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022216771.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-09
授权号 :
CN215517749U
授权日 :
2022-01-14
发明人 :
卜俊鹏
申请人 :
浙江康鹏半导体有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市兰溪市兰江街道创新大道1199号(自主申报)
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202022216771.8
主分类号 :
C30B29/42
IPC分类号 :
C30B29/42 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2022-01-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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