一种砷化镓晶体生长用石英坩埚
授权
摘要
本实用新型公开了一种砷化镓晶体生长用石英坩埚，包括坩埚本体和顶盖，所述坩埚本体顶部加工成型有环形的外翻边，所述顶盖套装在所述坩埚本体上方，所述顶盖上方设置有提手，所述坩埚本体内壁加工成型有至少两个导向槽，所述顶盖下方设置有对应所述导向槽的取料组件；所述取料组件包括连接螺钉、若干个竖直布置的连接杆和承托环，所述连接杆固定安装在所述顶盖下表面，所述承托环设置在所述连接杆底端，且通过所述连接螺钉与所述连接杆固定连接。有益效果在于：通过设置在导向槽内部的取料组件，晶体在制备过程中包覆在取料组件外部，便于操作人员通过承托环将砷化镓晶体从坩埚本体内部取出，提升砷化镓晶体的收集效率。
基本信息
专利标题 ：
一种砷化镓晶体生长用石英坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920806853.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN210215622U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
代晓波
申请人 ：
独山中科晶元信息材料有限公司
申请人地址 ：
贵州省黔南布依族苗族自治州独山县麻万镇麻抹组独山中科晶元
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
谈杰
优先权 ：
CN201920806853.2
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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