宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
专利权的终止
摘要
一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用。本发明能应用于超辐射发光管等需要宽光谱特性的半导体光电子器件有源区结构的设计和外延生长。
基本信息
专利标题 ：
宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101007944A
申请号 ：
CN200610002667.0
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘宁金鹏王占国
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610002667.0
主分类号 ：
C09K11/62
IPC分类号 ：
C09K11/62 H01L33/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K11/00
发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料
C09K11/08
含无机发光材料
C09K11/62
含镓、铟或铊
法律状态
2015-03-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101602904788
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2006100026670
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090513
终止日期 : 20140126
号牌文件序号 : 101602904788
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2006100026670
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090513
终止日期 : 20140126
2009-05-13 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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