砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利权的终止
摘要
一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。
基本信息
专利标题 ：
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1953217A
申请号 ：
CN200510086639.7
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2005-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200510086639.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/343
法律状态
2011-01-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101029354428
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100866397
申请日 : 20051020
授权公告日 : 20080416
终止日期 : 20091120
号牌文件序号 : 101029354428
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100866397
申请日 : 20051020
授权公告日 : 20080416
终止日期 : 20091120
2008-04-16 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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