带量子垒层硅掺杂结构的LED外延片、生长方法及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种带量子垒层硅掺杂结构的LED外延片、生长方法及其制造方法；外延片结构包括从下往上依次设置的蓝宝石衬底上生长的外延层、AlGaN缓冲层、非掺杂GaN层、AlGaN缺陷阻挡层、n型GaN层、高温InGaN/GaN应力释放层、低温InGaN/GaN量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层。本发明通过量子阱发光层的垒层中硅掺杂方式及垒层结构的优化，加强量子阱外延晶体质量和阱垒的界面质量，有效改善空穴的分布与运输，增强电流的横向扩展性，减小极化电场，有效改善绿光LED的光输出及电特性。
基本信息
专利标题 ：
带量子垒层硅掺杂结构的LED外延片、生长方法及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373838A
申请号 ：
CN202111640216.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘宝琴朱剑峰陈淼清张蔚徐扣琴
申请人 ：
南通同方半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市经济开发区东方大道499号
代理机构 ：
南京华恒专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋方园
优先权 ：
CN202111640216.0
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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