减少外延片自掺杂的外延基座
授权
摘要
本实用新型公开一种减少外延片自掺杂的外延基座，该基座包括圆形底壁，与圆形底壁边缘相连的环形侧壁以及环形侧壁上部边缘外沿沿圆形底壁径向方向向外延伸出的环形部，圆形底壁和环形侧壁共同限定出一个用于容纳衬底片的腔体，圆形底壁开设有贯穿圆形底壁的小孔和大孔，在圆形底壁上设有N个沿圆形底壁边缘处周向均布的密集区域，其中，4≤N≤12，所述小孔均布在密集区域内的圆形底壁上，所述大孔均布在密集区域外的圆形底壁上，每个密集区域内小孔的总开口面积是圆形底壁面积的2.5％～10％。本实用新型能够消除衬底片对外延生长过程中带来的自掺杂影响，提高外延片生产良率，节约生产成本。
基本信息
专利标题 ：
减少外延片自掺杂的外延基座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122624007.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216488003U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
李青海许武警王振
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122624007.9
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
