半导体外延设备及调节其基座与预热环同轴度的方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种半导体外延设备及调节其基座与预热环同轴度的方法,其中,半导体外延设备包括同轴度调节系统,用于调节基座与预热环之间的同轴度,同轴度调节系统包括:测距装置,用于检测基座的边缘上多个预设位置与预热环之间在预热环的径向方向上的实际间隙,多个预设位置沿基座的周向方向间隔分布;调节机构,用于调节基座在预热环的多个径向方向上的位置,多个径向方向与多个预设位置一一对应;控制器,用于获取基座与预热环之间的目标间隙,并根据目标间隙与各预设位置对应的实际间隙的差值,控制调节机构调节基座在相应的径向方向上的位置,以使基座与预热环的同轴度符合要求,实现自动检测和自动调节,精度和效率较高。

基本信息
专利标题 :
半导体外延设备及调节其基座与预热环同轴度的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318525A
申请号 :
CN202111591468.9
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
仲光宇
申请人 :
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 :
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 :
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 :
彭瑞欣
优先权 :
CN202111591468.9
主分类号 :
C30B25/12
IPC分类号 :
C30B25/12  C30B25/10  G01B5/25  H01L21/205  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/12
申请日 : 20211223
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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