碳化硅外延生长用石墨盘基座
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅外延生长用石墨盘基座，包括基座本体和口袋，基座本体的顶面包括第一上表面，基座本体的底面包括第一下表面，口袋设置于第一上表面上，所述第一上表面和所述第一下表面均为圆锥面，第一上表面和第一下表面的锥度大小相同且第一上表面的母线与第一下表面的母线相平行。本实用新型的碳化硅外延生长用石墨盘基座，因SiC生长过程中会存在“耗尽”现象，导致了外延片径向上各点的生长速率及掺杂浓度随径向位置变化而有所差异，造成了外延片厚度及浓度的不均匀性，通过在基座本体的顶面设置圆锥面，提高外延片厚度均匀性，同时在底面设置与顶面锥度大小相同的圆锥面，以提高温场的均匀性，从而可以提高掺杂浓度均匀性。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅外延生长用石墨盘基座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922201374.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN211005719U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
钮应喜左万胜郗修臻张晓洪刘锦锦刘洋史田超章学磊
申请人 ：
启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼18层
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱顺利
优先权 ：
CN201922201374.0
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B25/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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