LED外延生长方法
授权
摘要
本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N2和H2混合气氛低温AlInGaN：Zn层、生长H2气氛中温InGaN：Si层、生长N2气氛高温GaN：Mg层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。本发明方法通过引入N2和H2混合气氛低温AlInGaN：Zn层、H2气氛中温InGaN：Si层、N2气氛高温GaN：Mg层的结构以提升量子阱发光区的电子空穴对，增强发光辐射效率，提高LED的发光效率，并减少外延片翘曲。
基本信息
专利标题 ：
LED外延生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110379895A
申请号 ：
CN201910676755.6
公开（公告）日 ：
2019-10-25
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN110379895B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
徐平胡耀武龚彬彬黄胜蓝蒋东风
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周晓艳
优先权 ：
CN201910676755.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06 H01L33/12 H01L21/02
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法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-11-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20190725
申请日 : 20190725
2019-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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