一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括由第一折射率层和第二折射率层依次交替生长而成的布拉格反射镜层，第一折射率层为AlAs层，第二折射率层为AlGaAs层，且第一折射率层和第二折射率层皆掺杂Si，其中，第一折射率层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，第二折射率层包括依次层叠的第四子层、第五子层和第六子层，第二子层和第五子层中掺杂Si的浓度较高。本发明旨在解决现有技术中，由于掺杂浓度较高，AlAs/AlGaAs界面切换时，不利于形成陡峭的掺杂界面，导致布拉格反射镜层的反射率下降的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497302A
申请号 ：
CN202210353136.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙建建纪东牛群磊曹敏姜湃孙彬耀陈铭胜
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210353136.5
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/10
申请日 : 20220406
申请日 : 20220406
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
