一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，外延生长方法包括在生长P型接触层时，控制生长温度从高温逐渐降至低温，同时，掺杂Mg，控制Mg通入浓度高于P型GaN层Mg浓度，并且随着生长温度的降低，所述Mg通入浓度逐渐升高，因为在较高温度生长Mg掺GaN层可以得到较高晶体质量的Mg掺GaN层，同时，高温时，Mg较易掺杂进入GaN层中，但在低温时，掺杂Mg效率的下降很多，而通过在低温提高通入Mg的浓度，可以改善Mg在低温时掺杂浓度低的问题，又由于从高温到低温，降温的过程Mg逐渐并入，有效减少了Mg掺GaN层的晶格失配，从而使得P型接触层的接触电阻降低的同时，保证了晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551661A
申请号 ：
CN202210164053.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程龙印从飞刘春杨胡加辉
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210164053.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 C30B25/16 C30B25/18 C30B29/40 H01L33/06 H01L33/14
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220222
申请日 : 20220222
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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